একক চ্যানেল ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশন
এই TOB-CS350M একক-চ্যানেল potentiostat /galvanostat / ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনে রয়েছে DDS আরবিট্রারি ফাংশন জেনারেটর, হাই পাওয়ার potentiostat/galvanostat, ডুয়াল-চ্যানেল পারস্পরিক সম্পর্ক বিশ্লেষক, ডুয়াল-চ্যানেল হাই-চ্যানেল 16bit/উচ্চ-নির্ভুলতা 24bit AD রূপান্তরকারী এবং এক্সটেনশন ইন্টারফেস। সর্বোচ্চ বর্তমান হল ±2A, সম্ভাব্য পরিসীমা হল ±10V। EIS ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা হল 10uHz~1MHz। এটি বিভিন্ন ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্ষেত্র যেমন জারা, শক্তি, উপাদান এবং ইলেক্ট্রোবিশ্লেষণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। বর্তমান বুস্টার CS2020B/ CS2040B দিয়ে কারেন্টকে 20A/40A পর্যন্ত বুস্ট করা যেতে পারে।
একক চ্যানেল ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশন
স্পেসিফিকেশন
এই TOB-CS350M একক-চ্যানেল potentiostat /galvanostat / ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশনে রয়েছে DDS আরবিট্রারি ফাংশন জেনারেটর, হাই পাওয়ার potentiostat/galvanostat, ডুয়াল-চ্যানেল পারস্পরিক সম্পর্ক বিশ্লেষক, ডুয়াল-চ্যানেল হাই-চ্যানেল 16bit/উচ্চ-নির্ভুলতা 24bit AD রূপান্তরকারী এবং এক্সটেনশন ইন্টারফেস। সর্বোচ্চ বর্তমান হল ±2A, সম্ভাব্য পরিসীমা হল ±10V। EIS ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা হল 10uHz~1MHz। এটি বিভিন্ন ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্ষেত্র যেমন জারা, শক্তি, উপাদান এবং ইলেক্ট্রোবিশ্লেষণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। বর্তমান বুস্টার CS2020B/ CS2040B দিয়ে কারেন্টকে 20A/40A পর্যন্ত বুস্ট করা যেতে পারে।
|
স্পেসিফিকেশন |
|
|
সমর্থন 2-, 3- বা 4-ইলেকট্রোড সিস্টেম |
সম্ভাব্য এবং বর্তমান পরিসীমা: স্বয়ংক্রিয় |
|
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: ±10V |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ পরিসীমা: ±2A |
|
সম্ভাব্য নিয়ন্ত্রণ নির্ভুলতা: 0.1% × সম্পূর্ণ পরিসীমা±1mV |
বর্তমান নিয়ন্ত্রণ সঠিকতা: 0.1% × সম্পূর্ণ পরিসীমা |
|
Potential resolution: 10μV (>100Hz), 3μV (<10Hz) |
বর্তমান সংবেদনশীলতা: 1pA |
|
উঠার সময়:<1μs (<10mA), <10μs (<2A) |
রেফারেন্স ইলেক্ট্রোড ইনপুট প্রতিবন্ধকতা:1012Ω||20pF |
|
বর্তমান ব্যাপ্তি: 2nA~2A, 10 ব্যাপ্তি৷ |
কমপ্লায়েন্স ভোল্টেজ: ±21V |
|
সর্বাধিক বর্তমান আউটপুট: 2A |
CV এবং LSV স্ক্যান রেট: 0.001mV~10,000V/s |
|
CA এবং CC পালস প্রস্থ: 0.0001~65,000s |
স্ক্যানের সময় বর্তমান বৃদ্ধি: 1mA@1A/ms |
|
স্ক্যানের সময় সম্ভাব্য বৃদ্ধি: 0.076mV@1V/ms |
SWV ফ্রিকোয়েন্সি: 0.001~100 kHz |
|
DPV এবং NPV পালস প্রস্থ: 0.0001~1000s |
AD ডেটা অধিগ্রহণ: 16bit@1 MHz,20bit@1 kHz |
|
DA রেজোলিউশন: 16 বিট, সেটআপ সময়: 1μs |
সিভিতে ন্যূনতম সম্ভাব্য বৃদ্ধি: 0.075mV |
|
IMP ফ্রিকোয়েন্সি: 10μHz~1MHz |
কম-পাস ফিল্টার: 8-দশক কভার করে |
|
অপারেটিং সিস্টেম: উইন্ডোজ 10/11 |
ইন্টারফেস: USB 2.0 |
|
ওজন / পরিমাপ: 6.5 কেজি, 36.5 x 30.5 x16 সেমি |
|
|
ইআইএস (ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ইম্পিডেন্স স্পেকট্রোস্কোপি) |
|
|
সিগন্যাল জেনারেটর |
|
|
ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা: 10μHz~1MHz |
এসি প্রশস্ততা: 1mV~2500mV |
|
DC বায়াস: -10~+10V |
আউটপুট প্রতিবন্ধকতা: 50Ω |
|
তরঙ্গরূপ: সাইন ওয়েভ, ত্রিভুজাকার তরঙ্গ এবং বর্গ তরঙ্গ |
তরঙ্গ বিকৃতি:<1% |
|
স্ক্যানিং মোড: লগারিদমিক/রৈখিক, বৃদ্ধি/হ্রাস |
|
|
সংকেত বিশ্লেষক |
|
|
অবিচ্ছেদ্য সময়: সর্বনিম্ন: 10ms বা একটি চক্রের দীর্ঘতম সময় |
সর্বাধিক: 106 চক্র বা 105 সেকেন্ড |
|
পরিমাপ বিলম্ব: 0~105s |
|
|
ডিসি অফসেট ক্ষতিপূরণ |
|
|
সম্ভাব্য স্বয়ংক্রিয় ক্ষতিপূরণ পরিসীমা: -10V~+10V |
বর্তমান ক্ষতিপূরণ পরিসীমা: -1A~+1A |
|
ব্যান্ডউইথ: 8-দশকের ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা, স্বয়ংক্রিয় এবং ম্যানুয়াল সেটিং |
|
কৌশল- মডেলের তুলনা
|
কৌশল |
TOB-CS300M কোন EIS নেই |
TOB-CS310M EIS এর সাথে |
TOB-CS350M EIS এর সাথে |
|
|
স্থিতিশীল মেরুকরণ |
ওপেন সার্কিট পটেনশিয়াল (ওসিপি) |
√ |
√ |
√ |
|
Potentiostatic (i-t curve) |
√ |
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক |
√ |
√ |
√ |
|
|
Potentiodynamic (Tafel প্লট) |
√ |
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানোডাইনামিক |
√ |
√ |
√ |
|
|
ক্ষণস্থায়ী মেরুকরণ |
একাধিক-সম্ভাব্য পদক্ষেপ |
√ |
√ |
√ |
|
একাধিক-বর্তমান ধাপ |
√ |
√ |
√ |
|
|
সম্ভাব্য সিঁড়ি-ধাপ (VSTEP) |
√ |
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানিক সিঁড়ি-ধাপ (ISTEP) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ক্রনো পদ্ধতি |
ক্রোনোপোটেনটিওমেট্রি (সিপি) |
√ |
√ |
√ |
|
Chronoamperometry (CA) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ক্রোনোকোলোমেট্রি (সিসি) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ভোল্টমেট্রি |
চক্রীয় ভোল্টমেট্রি (সিভি) |
√ |
√ |
√ |
|
লিনিয়ার সুইপ ভোল্টমেট্রি (LSV)(i-v) |
√ |
√ |
√ |
|
|
সিঁড়ি ভোল্টমেট্রি (SCV) # |
√ |
|
√ |
|
|
স্কয়ার ওয়েভ ভোল্টমেট্রি (SWV) # |
√ |
|
√ |
|
|
ডিফারেন্সিয়াল পালস ভোল্টমেট্রি (DPV)# |
√ |
|
√ |
|
|
সাধারণ পালস ভোল্টমেট্রি (NPV)# |
√ |
|
√ |
|
|
ডিফারেন্সিয়াল নরমাল পালস ভোল্টমেট্রি (DNPV)# |
√ |
|
√ |
|
|
এসি ভোল্টমেট্রি (ACV) # |
√ |
|
√ |
|
|
EIS |
সম্ভাব্য EIS (Nyquist, Bode) |
|
√ |
√ |
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস |
|
√ |
√ |
|
|
Potentiostatic EIS (ঐচ্ছিক ফ্রিকোয়েন্সি) |
|
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস (ঐচ্ছিক ফ্রিকোয়েন্সি) |
|
√ |
√ |
|
|
মট-স্কটকি |
|
√ |
√ |
|
|
সম্ভাব্য EIS বনাম সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি) |
|
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইআইএস বনাম সময় (একক ফ্রিকোয়েন্সি) |
|
√ |
√ |
|
|
জারা পরিমাপ |
চক্রীয় মেরুকরণ বক্ররেখা (CPP) |
√ |
√ |
√ |
|
লিনিয়ার পোলারাইজেশন কার্ভ (LPR) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পোটেনটিওকাইনেটিক রিঅ্যাক্টিভেশন (ইপিআর) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল নয়েজ (EN) |
√ |
√ |
√ |
|
|
জিরো রেজিস্ট্যান্স অ্যামিটার (ZRA) |
√ |
√ |
√ |
|
|
ব্যাটারি পরীক্ষা |
ব্যাটারি চার্জ এবং স্রাব |
√ |
√ |
√ |
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং স্রাব (GCD) |
√ |
√ |
√ |
|
|
পটেনটিওস্ট্যাটিক চার্জিং এবং ডিসচার্জিং (পিসিডি) |
√ |
√ |
√ |
|
|
পটেনটিওস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (পিআইটিটি) |
√ |
√ |
√ |
|
|
গ্যালভানোস্ট্যাটিক ইন্টারমিটেন্ট টাইট্রেশন টেকনিক (জিআইটিটি) |
√ |
√ |
√ |
|
|
অ্যাম্পেরোমেট্রি |
ডিফারেনশিয়াল পালস অ্যাম্পেরোমেট্রি (DPA) |
√ |
|
√ |
|
ডাবল ডিফারেনশিয়াল পালস অ্যাম্পেরোমেট্রি (DDPA) |
√ |
|
√ |
|
|
ট্রিপল পালস অ্যাম্পেরোমেট্রি (TPA) |
√ |
|
√ |
|
|
ইন্টিগ্রেটেড পালস অ্যাম্পেরোমেট্রিক ডিটেকশন (IPAD) |
√ |
|
√ |
|
# সংশ্লিষ্ট স্ট্রিপিং পদ্ধতি আছে।
আবেদন
জারা:পরীক্ষক ক্ষয় পরিমাপের জন্য সমস্ত ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল কৌশল অন্তর্ভুক্ত করে যেমন OCP, পোলারাইজেশন কার্ভ (পোটেনটিওডাইনামিক), EIS, সাইক্লিক পোলারাইজেশন CPP (প্যাসিভেশন কার্ভ), ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পোটেনটিওকাইনেটিক রিঅ্যাক্টিভেশন (ইপিআর), হাইড্রোজেন ডিফিউশন টেস্ট, জেআরএ, ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ক্যান নয়েজ এবং মেটাল স্টাডি করার জন্য ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল কৌশল ব্যবহার করতে পারে। প্রতিরোধের, এবং আবরণ স্থায়িত্ব এবং বলিদানকারী অ্যানোড বর্তমান দক্ষতা মূল্যায়ন. এটি ক্ষয় প্রতিরোধক, ছত্রাকনাশক ইত্যাদির দ্রুত স্ক্রীনিংয়ের জন্যও ব্যবহার করা যেতে পারে।

বাম: 3%NaCl দ্রবণে Ti-মিশ্র ধাতু এবং স্টেইনলেস স্টিলের মেরুকরণ বক্ররেখা
ডানদিকে: 0.05mol/LCl+0.1mol/LNaHCO3-এ কম-কার্বন স্টিলের EN
এটি পারস্পরিক সম্পর্ক সমন্বিত অ্যালগরিদম এবং ডুয়াল-চ্যানেল ওভার- নমুনা কৌশল ব্যবহার করে, এবং শক্তিশালী বিরোধী-হস্তক্ষেপ ক্ষমতা রয়েছে৷ যন্ত্রের অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা 1013Ω পর্যন্ত। এটি উচ্চ-প্রতিরোধ ব্যবস্থার EIS পরিমাপের জন্য উপযুক্ত (যেমন আবরণ, কংক্রিট ইত্যাদি)

উচ্চ প্রতিবন্ধক আবরণ লবণ স্প্রে বার্ধক্য পরীক্ষা
শক্তি
এলএসভি, সিভি, গ্যালভানোস্ট্যাটিক চার্জ এবং ডিসচার্জ (জিসিডি), ধ্রুবক সম্ভাব্য/কারেন্ট ইআইএস এবং সুনির্দিষ্ট IR ক্ষতিপূরণ সার্কিটের কৌশলগুলির সাহায্যে, কর্টেস্ট পটেনটিওস্ট্যাটগুলি সুপারক্যাপাসিটর, লি-আয়ন ব্যাটারি, সোডিয়াম-আয়ন ব্যাটারি, ফুয়েল সেল, লি{2} ব্যাটারি, তাই{2}আয়ন ব্যাটারিগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় সলিড-স্টেট ব্যাটারি, ফ্লো ব্যাটারি, মেটাল-এয়ার ব্যাটারি ইত্যাদি। এটি শক্তি এবং পদার্থের ক্ষেত্রে গবেষকদের জন্য একটি চমৎকার বৈজ্ঞানিক টুল।

0.5 mol/L H2SO4 দ্রবণে PPy সুপারক্যাপাসিটরের CV বক্ররেখা
বৈদ্যুতিক বিশ্লেষণ
Corrtest potentiostat-এ NPV, DNPV, SWV, ACV-এর মতো সমস্ত ভোল্টমেট্রিক পদ্ধতি অন্তর্ভুক্ত থাকে এবং সমাধানের ট্রেস উপাদানগুলির দ্রুত বিশ্লেষণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে। ভোল্টমেট্রি স্ট্রিপিং পদ্ধতি স্ট্রিপিং পিক কারেন্ট অনুযায়ী পরিমাণগত বিশ্লেষণ করতে পারে।

বিভিন্ন Pb2+, Cd 2+, Zn2+ ঘনত্বের দ্রবণে ভোল্টামেট্রিক বক্ররেখা স্ট্রিপ করা
ইলেক্ট্রো-ক্যাটালাইসিস
Corrtest potentiostat অনুঘটকের অর্ধ-তরঙ্গ সম্ভাবনা (ORR), অতিসম্ভাব্য (HER, OER) পরিমাপ করতে পারে, এবং এতে সর্বোচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং শক্তি ঘনত্ব গণনার কাজ রয়েছে।
ORR, OER, HER, CO2RR-এর জন্য দীর্ঘ-সাইক্লিক ভোল্টমেট্রি, পটেনটিওস্ট্যাটিক, গ্যালভানোস্ট্যাটিক প্রভৃতি কৌশলের মাধ্যমে সাইক্লিক পরিমাপ। ফ্যারাডে দক্ষতা একটি bipotentiostat সঙ্গে পরিমাপ করা যেতে পারে.
সর্বাধিক কারেন্ট 20A হতে পারে এবং কমপ্লায়েন্স ভোল্টেজ 30V হতে পারে এবং IR ক্ষতিপূরণ কৌশলের সাহায্যে, Corrtest potentiostat সঠিকভাবে ইলেক্ট্রোডের অতিরিক্ত সম্ভাবনা পরিমাপ করতে পারে, যা ইলেক্ট্রোক্যাটালাইসিস ক্ষেত্রে একটি বড় সুবিধা।

ক্ষারীয় দ্রবণে অনুঘটকের LSV বক্ররেখা
সফ্টওয়্যার বৈশিষ্ট্য
চক্রীয় ভোল্টমেট্রি:CS স্টুডিও সফ্টওয়্যার ব্যবহারকারীদের একটি বহুমুখী স্মুথিং/ডিফারেনশিয়াল/ ইন্টিগ্রেশন কিট প্রদান করে, যা পিক হাইট, পিক এরিয়া এবং সিভি কার্ভের সর্বোচ্চ সম্ভাবনার গণনা সম্পূর্ণ করতে পারে। সিভি প্রযুক্তিতে, ডেটা বিশ্লেষণের সময়, দেখানোর জন্য সঠিক চক্র(গুলি) নির্বাচন করার কাজ রয়েছে।
তাফেল প্লট এবং জারা হার:CS স্টুডিও বাটলারে শক্তিশালী নন-লিনিয়ার ফিটিং প্রদান করে{1}}পোলারাইজেশন কার্ভের ভলমার সমীকরণ। এটি ট্যাফেল ঢাল, জারা বর্তমান ঘনত্ব, সীমাবদ্ধতা বর্তমান, মেরুকরণ প্রতিরোধ, জারা হার গণনা করতে পারে। এটি EN পরিমাপের উপর ভিত্তি করে পাওয়ার স্পেকট্রাম ঘনত্ব, শব্দ প্রতিরোধ এবং শব্দ বর্ণালী প্রতিরোধেরও গণনা করতে পারে।

ব্যাটারি পরীক্ষা এবং বিশ্লেষণ:
- চার্জ এবং স্রাব দক্ষতা, ক্ষমতা, নির্দিষ্ট ক্যাপাসিট্যান্স, চার্জ এবং স্রাব শক্তি।

EIS বিশ্লেষণ:বোডে, নিকুইস্ট, মট-স্কটকি প্লট
- EIS ডেটা বিশ্লেষণের সময়, কাস্টম সমতুল্য সার্কিট আঁকার জন্য ফিটিং ফাংশন তৈরি করা হয়।

স্ট্যান্ডার্ড সাপ্লাই-একক-চ্যানেল potentiostat
- যন্ত্র হোস্ট
- সিএস স্টুডিও সফটওয়্যার
- পাওয়ার ক্যাবল x1
- ইউএসবি কেবল x1
- সেল/ইলেকট্রোড কেবল x2
- ডামি সেল(1kΩ||100µF) x1
- ম্যানুয়াল
পণ্য প্রদর্শন




আমাদের সার্টিফিকেট
আরো সার্টিফিকেটপেটেন্ট সার্টিফিকেট

ISO 9001

সিই সার্টিফিকেট

আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন
ইমেইল:tob.amy@tobmachine.com
ফোন:+86-18120715609
গরম ট্যাগ: একক চ্যানেল ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ওয়ার্কস্টেশন, সরবরাহকারী, নির্মাতারা, কারখানা, মূল্য
তুমি এটাও পছন্দ করতে পারো
অনুসন্ধান পাঠান














